Niedertemperatursensoren
Die Temperatursensoren der DT-Serie Siliziumdioden-Temperatur, die durch zukünftige Quantum eingeführt wird, verwenden einen speziellen Siliziumdiodenchip, der stabilere Betriebseigenschaften mit niedriger Temperatur aufweist als frühere Siliziumdioden auf dem Markt. Im Temperaturmessbereich von 1,8 k ~ 325 K folgt die DT-Serie der Standard-Spannungs-Temperatur-Antwortkurve mit einer höheren Temperaturempfindlichkeit unter 30 K, die für eine sehr niedrige Temperaturmessung geeignet ist und gleichzeitig eine gute Austauschbarkeit aufweist und nicht in allgemeinen Anwendungen individuell kalibriert werden muss.
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Empfohlene Anregung |
10μA±0.01μA |
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Maximale Rückspannung |
70V |
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Maximaler Strom für Schäden |
Kontinuierlich 1 mA oder pulsierte 100 mA |
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Stromverbrauch bei 10 μA Anregung |
16μW@4.2K;10μW@77K;5μW@300K |
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SD -Paket -Reaktionszeit |
10ms@4.2k; 100 ms@77k; 200 ms@305k |
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Wiederholbarkeit |
± 15mk@77k |
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Magnetfeldeffekte |
Empfohlen für die Verwendung in Magnetfeldern nur bei niedrigen 50k -Temperaturen, Thermometermontageoberfläche |
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Strahlungseffekte |
Empfohlen nur für den Einsatz bei niedrigen Strahlungsniveaus |
Produktmerkmale
Kleine Anregungsstrom, vernachlässigbarer Selbsthitzungseffekt
Entsprechen der Standardkurve, gute Austauschbarkeit
Hohe Genauigkeit im Temperaturbereich von 1,8K -325 k.
Für eine genauere Temperaturmessung ist die individuelle Kalibrierung verfügbar.
Kompatibel mit Lakeshore, Kryokon, Oxford und anderen Herstellern von Temperaturcontrollern.
Technische Spezifikationen
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Standardkurve |
DT-Serie, siehe Abbildung 1 |
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Empfohlene Anregung |
10 µA±0.01 µA |
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Maximale Rückspannung |
70V |
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Maximaler Strom für Schäden |
1 Ma kontinuierlich oder 100 mA gepulst |
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Stromverbrauch bei 10 µA Anregung |
10 μW@4.2 K; 10μW@77 K;5μW@300 K |
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SD -Paket -Reaktionszeit |
10 ms@4.2 k; 100 ms@77 k; 200 ms@305 k |
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Wiederholbarkeit |
± 15 mk bei 77 k |
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Magnetfeldeffekte |
Empfohlen für die Verwendung in Magnetfeldern bei niedrigen Temperaturen nur von 50 K, Thermometermontageoberfläche |
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Strahlungseffekte |
Empfohlen nur für den Einsatz bei niedrigen Strahlungsniveaus |
Temperaturantwortdatenblatt (typisch)
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Temperatur |
V (Volt) |
DV\/DT (MV\/K) |
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1.8K |
1.66 |
-13.2 |
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4.2K |
1.59 |
-30.6 |
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10K |
1.39 |
-27.1 |
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77K |
1.02 |
-2.0 |
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305K |
0.55 |
-2.3 |
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Physikalische Spezifikationen |
Masse |
Drahttyp |
Sensormaterial |
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Dt-to |
400 mg |
Phosphorbronze gedrehtes Paar |
Ceramic Gold-plattiertes Paket |
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DT-BR (BARE) |
85 ug |
Keiner |
Silizium |
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DT-SD |
40 mg |
Phosphorbronze gedrehtes Paar |
Saphirsubstrat, Keramikkörperkappe vergoldet plattiert |
Standardkurven -Toleranzzonen und Genauigkeit der Temperaturmessung
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Toleranzbandqualität |
2K~77 K |
77 K~305 K |
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C |
±1K |
±1K |
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B |
±0.5 K |
±0.5 K |
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A |
±0.25 K |
±0.25 K |
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Unabhängige Kalibrierung |
± 20 mk |
± 40 mk |
Anmerkungen:
Die kurzfristige Wiederholbarkeit wird erreicht, indem der Sensor wiederholt 305.000 thermische Schocks von 4,2.000 ausgesetzt wird.
Langzeitwiederholbarkeit wird erreicht, indem 200 Wärmeschocks von 305.000 auf 77.000 auf den Sensor angewendet werden.
Sensorgenauigkeit: (Kalibrierungsunsicherheit {{0}} Wiederholbarkeit2)^0.5